专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]掩模板结构及其制造方法-CN201010250531.8有效
  • 朱骏 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2010-08-11 - 2011-01-12 - G03F1/14
  • 本发明提出一种掩模板结构及其制造方法,该掩模板结构包括:掩模板基板;相消层,设置于所述掩模板基板上;选择性外延淀积保护膜,设置于所述相消层上,其中所述选择性外延淀积保护膜为二氧化硅,多晶硅本发明提出的掩模板结构及其制造方法,省略了常规掩模板使用的金属铬,降低了制造成本而且依靠选择性外延淀积技术,用对相层具有高湿法刻蚀选择比的材料取代金属铬,降低二次干法刻蚀工艺操作对掩模板产生的损伤,提高掩模板性能和成品率。
  • 移相掩模板结构及其制造方法
  • [发明专利]掩模坯料、掩模掩模的制造方法-CN201880021110.2有效
  • 坂本好史;小岛洋介;长友达也 - 凸版光掩模有限公司
  • 2018-04-02 - 2023-06-20 - G03F1/32
  • 本发明的目的是提供一种具有良好的晶圆转印特性和耐照射性的掩模坯料和掩模掩模坯料(200)是为了制作曝光波长193nm的掩模所使用的掩模坯料(200),所述掩模坯料(200)具备:透光性基板(103);形成在该透光性基板(103)上且带来相移效应的相移膜(102),相移膜(102)是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相膜(102b)、和使用了氮氧化硅系材料的第2相膜(102a)而构成的,所述第1相膜(102b)的折射率n1为2.5以上2.75以下,衰减系数k1为0.2以上0.4以下,所述第2相膜(102a)的折射率n2为1.55以上2.20
  • 光掩模坯料制造方法
  • [发明专利]路偏振点衍射相干涉波前传感器-CN201310175437.4无效
  • 白福忠;王晓强;刘珍;索晓红;吴亚琴;田枫 - 内蒙古工业大学
  • 2013-04-28 - 2013-08-14 - G01J9/02
  • 本发明涉及一种共路偏振点衍射相干涉波前传感器。包括偏振片、第一和第二双折射透镜、相干涉系统、CCD传感器、计算机;还包括在第一和第二双折射透镜共焦平面处添加一个含有针孔的偏振PDI掩模板。待测线偏振光束被第一双折射透镜分为两束,E光会聚于偏振PDI掩模板上的针孔发生小孔衍射作为参考;O几乎无衰减通过偏振PDI掩模板作为测试;参考光和测试光通过相干涉系统形成四帧时间或空间相干涉图,通过旋转偏振片调节条纹对比度,进而使用相算法重建待测波前相位。本发明采用共路结构、无需专门的参考、且系统稳定性强、条纹对比度可调,可适用于各类波前相位的动、静态高精度检测。
  • 共光路偏振衍射相干涉波前传感器
  • [发明专利]掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法-CN200710136896.6无效
  • 李峻硕 - 东部高科股份有限公司
  • 2007-07-23 - 2008-01-23 - G03F1/00
  • 本发明涉及一种掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法,该掩模包括:透明掩模,由掩模图案区限定;以及掩模图案,位于掩模图案区上,包括第一相层以及位于第一相层上的第二相层,第一相层具有第一透射率而第二相层具有第二透射率该微透镜汇聚CMOS图像传感器中的外部,使得由光电二极管照射的微透镜能够具有良好的曲率半径。借助本发明,通过叠置至少两个具有彼此不同的透射率的相移层来形成用以形成CMOS图像传感器中微透镜的相移掩模,使得当用该相移掩模形成微透镜时微透镜能够具有均匀大小并且微透镜能够具有均匀曲率而与掩模图案阵列的位置无关
  • 及其制造方法透镜
  • [发明专利]掩模-CN202110016918.5在审
  • 田中千惠;山田步实;齐藤隆史 - 株式会社SK电子
  • 2021-01-07 - 2021-07-23 - G03F1/26
  • 本发明提供能够稳定地解像微细的孔图案的掩模。该掩模具备:露出透过性基板的透过部;以及包围透过部的、将曝光光的相位反转的第1相部和第2相部。第2相部介于第1相部与透过部之间,第2相部对曝光光的透射率比第1相部的透射率低。另外,第2相部能够由第1相部的相移膜与半透过膜的层叠结构而构成。
  • 光掩模
  • [发明专利]接近式曝光用光掩模-CN202110618642.8在审
  • 齐藤隆史 - 株式会社SK电子
  • 2021-06-03 - 2021-12-17 - G03F1/38
  • 本发明提供能够将微细的孔图案稳定地析像的掩模。本掩模具备露出透过性基板的透过部、以及以包围透过部的方式将曝光光的相位反转的第一相部和第二相部。第二相部介于第一相部与透过部之间,第二相部对曝光光的透射率比第一相部的透射率低。另外,第二相部可由第一相部的相移膜与半透过膜的层叠结构构成。
  • 接近曝光用光

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